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石家莊錦程環(huán)保工程有限公司
閱讀:521發(fā)布時間:2020-12-25
硅片化學(xué)機(jī)械拋光工藝流程加工流程: 單晶生長→切斷→外徑滾磨→平邊或V型槽處理→切片 倒角→研磨腐蝕--拋光→清洗→包裝 切斷:目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規(guī)格的部分,將單晶硅棒分段成切片設(shè)備可以處理的長度,切取試片測量單晶硅棒的電阻率含氧量。
外徑磨削:由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比終拋光晶片所規(guī)定的直徑規(guī)格大,通過外徑滾磨可以獲得較為精確的直徑。 硅片標(biāo)識定位 激光刻印 切片:指將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄晶片。 切片
晶圓單晶硅的工藝 單晶光伏硅片的工藝 鑄錠多晶的工藝 滾磨和開方的目的 滾磨與開方:經(jīng)過直拉法生長出的硅錠子, 外形是不規(guī)則的圓柱體,外側(cè)可能有晶棱 出現(xiàn),頭和尾部均有錐形端,因此在進(jìn)行 硅片切割之前,需要對硅錠進(jìn)行整形與分 割,使其達(dá)到硅片
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