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濕腐蝕蝕刻網(wǎng)zui普遍、也是設(shè)備成本zui低的蝕刻方法。其影響被蝕刻物之蝕刻速率的因素有三：蝕刻液濃度、蝕刻液溫度、及攪拌 之有無。定性而言，增加蝕刻溫度與加入攪拌，均能有效提高蝕刻速率；但濃度之影響則較不明確。舉例來說，以49%的HF蝕刻SiO2，當然比BOE (Buffered-Oxide- Etch；HF：NH4F =1：6) 快的多；但40%的KOH蝕刻Si的速率卻比20%KOH慢！濕蝕刻的配方選用是一項化學的專業(yè)，對于一般不是這方面的研究人員，必須向該化學專業(yè)的同儕請教。一個選用濕蝕刻配方的重要觀念是「選擇性」(selectivity)，意指進行蝕刻時，對被蝕物去除速度與連帶對其他材質(zhì) (如蝕刻掩膜；etching mask，或承載被加工薄膜之基板；substrate ) 的腐蝕速度之比值。一個具有高選擇性的蝕刻系統(tǒng)，應(yīng)該只對被加工薄膜有腐蝕作用，而不傷及一旁之蝕刻掩膜或其下的基板材料。