建議拆掉軟啟動(dòng)器后測(cè)試,以往在工廠測(cè)試電機(jī)時(shí)候,一般都建議拆掉變頻器來(lái)測(cè)試的,其實(shí)就是主回路三條線,拆裝很簡(jiǎn)單的,畢竟你測(cè)試電機(jī)絕緣時(shí)候,不知道你的測(cè)試儀輸出的高壓是多少了,一不留神會(huì)燒里邊的器件的,畢竟里邊除了可控硅,還可能有一些檢測(cè)電路或者過(guò)壓保護(hù)器件了,很容易受到破壞,一般主回路就是3個(gè)可控硅,可控硅的反向耐壓和正向耐壓,基本上是差不多的,可以參考這個(gè)小功率的可控硅表,廠家給出來(lái)的參數(shù),和正向耐壓是一致的,可以推測(cè)大功率的也差不多。
可控硅的主要技術(shù)參數(shù)
1.正向阻斷峰值電壓(VPFU)
是指在控制極開(kāi)路及正向阻斷條件下,可以重復(fù)加在器件上的正向電壓的峰值。此電壓規(guī)定為正向轉(zhuǎn)折電壓值的80%。
2.反向阻斷峰值電壓(VPRU)
它是指在控制極斷路和額定結(jié)溫度下,可以重復(fù)加在器件上的反向電壓的峰值。此電壓規(guī)定為zui高反向測(cè)試電壓值的80%。
3.額定正向平均電流(IF)
在環(huán)境溫度為+40C時(shí),器件導(dǎo)通(標(biāo)準(zhǔn)散熱條件)可連續(xù)通過(guò)工頻(即指供電網(wǎng)供給的電源頻率.一般為50Hz或60Hz,我國(guó)規(guī)定為50Hz)正弦半波電流的平均值。
4.正向平均壓降(UF)
在規(guī)定的條件下,器件通以額定正向平均電流時(shí),在陽(yáng)極與陰極之間電壓降的平均值。 5.維持電流(IH)
在控制極斷開(kāi)時(shí),器件保持導(dǎo)通狀態(tài)所必需的zui小正向電流。
6.控制極觸發(fā)電流(Ig)
陽(yáng)極與陰極之間加直流6V電壓時(shí),使可控硅*導(dǎo)通所必需的zui小控制極直流電流。
7.控制極觸發(fā)電壓(Ug)
是指從阻斷轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)控制極上所加的zui小直流電壓。
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