低噪聲近紅外雪崩光電探測(cè)器
IAV205雪崩光電二極管
• 2-lead TO-46封裝
• 小孔徑帽
• 200微米直徑
• 其它詳見(jiàn)如下說(shuō)明
| 產(chǎn)品說(shuō)明 | |||||||
| 客戶： 任何人 | NO. IAV205 | ||||||
| 類(lèi)型：雪崩光電二極管 | |||||||
| CUST. DWG | PKG. | *TO-46 2 lead | MAT InGaAs | ||||
| 器件標(biāo)志 | |||||||
| (a) G | |||||||
| (b) IAV204 | |||||||
| (C) DC | |||||||
| A類(lèi)和/或性能特征 | |||||||
| NO. | 參數(shù)條件@23ºC±2°C | 小 | 典型 | 大 | 單位 | ||
| 1 | 波長(zhǎng)范圍 | 1000 | 1630 | nm | |||
| 2 | 響應(yīng)率@M=1 1550nm波長(zhǎng) | 0.85 | 0.90 | 0.95 | A/W | ||
| 3 | 暗電流@M=10 | 8 | 25 | nA | |||
| 4 | 工作電壓Vr@M=10 | 43 | 55 | 67 | V | ||
| 5 | 擊穿電壓Vbr(Id=10µA) | 50 | 63 | 75 | V | ||
| 6 | 激活區(qū)直徑 | 200 | 205 | 210 | µm | ||
| 7 | 電容@M=10 | 1.8 | 2.2 | pF | |||
| 8 | Vbr的溫度系數(shù)(23°C) | 0.075 | 0.080 | V/°C | |||
| 9 | 帶寬@M=5 | 0.5 | 1.5 | 2.0 | GHz | ||
| 10 | 帶寬@M=10 | 1 | 1.5 | 2.0 | GHz | ||
| 11 | 帶寬@M=20 | 0.5 | 1.0 | 1.5 | GHz | ||
| 12 | 過(guò)量噪聲因子F@M=10 | 3.2 | 3.7 | ||||
| 13 | 過(guò)量噪聲因子F@M=20 | 5.5 | 6.0 | ||||
| 14 | 噪聲等效功率NEP@M=10 | 0.032 | 0.1 | pW/Hz1/2 | |||
| 15 | 大條件 | ||||||
| 16 | 工作溫度范圍 | -40 | 70 | °C | |||
| 17 | 存儲(chǔ)溫度范圍 | -40 | 85 | °C | |||
| 18 | 大反向電流 | 1 | mA | ||||
| 19 | 大正向電流 | 0 | 10 | mA | |||
| 20 | 光學(xué)輸入(10ns脈沖) | >200 | kW/cm2 | ||||
| 21 | 光學(xué)輸入(平均) | 0 | dBm | ||||
| 特殊要求 | |||||||
| *TO-46 2lead更改封裝窗口帽略圖#13343, 200微米直徑激活區(qū)。 | |||||||
| 對(duì)于每一個(gè)單位，下列數(shù)據(jù)是要求的：擊穿電壓@10µA。工作電壓和暗電流增益=10,15和20，響應(yīng)率(X.XX A/W)@M=1；1550nm. *試驗(yàn)條件@23°C±2°C | |||||||
