導(dǎo)電材料四探針電阻率測(cè)試儀導(dǎo)電材料四探針電阻率測(cè)試儀

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)中，四探針?lè)ㄉ婕暗桨雽?dǎo)體材料、金屬材料試驗(yàn)、絕緣流體、獸醫(yī)學(xué)、復(fù)合增強(qiáng)材料、電工器件、無(wú)損檢測(cè)、集成電路、微電子學(xué)、土質(zhì)、土壤學(xué)、水質(zhì)、電子顯示器件、有色金屬。

在中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)中，四探針?lè)ㄉ婕暗桨虢饘倥c半導(dǎo)體材料綜合、金屬物理性能試驗(yàn)方法、、、電工合金零件、特種陶瓷、質(zhì)譜儀、液譜儀、能譜儀及其聯(lián)用裝置、電阻器、半導(dǎo)體集成電路、工程地質(zhì)、水文地質(zhì)勘察與巖土工程、水環(huán)境有毒害物質(zhì)分析方法、電工材料和通用零件綜合、半金屬、元素半導(dǎo)體材料、金屬無(wú)損檢驗(yàn)方法。
GB/T 6617-2009 硅片電阻率測(cè)定 擴(kuò)展電阻探針?lè)?br/>GB/T 14141-2009 硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測(cè)定.直排四探針?lè)?br/>GB/T 1551-1995 硅、鍺單晶電阻率測(cè)定 直流兩探針?lè)?br/>GB/T 6617-1995 硅片電阻率測(cè)定 擴(kuò)展電阻探針?lè)?br/>GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直排四探針?lè)?/p>

本儀器配置各類(lèi)測(cè)量裝置可以測(cè)試不同材料之電導(dǎo)率。液晶顯示，無(wú)需人工計(jì)算，并帶有溫度補(bǔ)償功能，電導(dǎo)率單位自動(dòng)選擇，BEST-300C 材料電導(dǎo)率測(cè)試儀自動(dòng)測(cè)量并根據(jù)測(cè)試結(jié)果自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程，無(wú)需人工多次和重復(fù)設(shè)置。選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動(dòng)生成圖表和報(bào)表。

本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時(shí)顯示電阻值、電阻率、方阻、電導(dǎo)率值、溫度、壓強(qiáng)值、單位自動(dòng)換算，配置不同的測(cè)試治具可以滿足不同材料的測(cè)試要求。測(cè)試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測(cè)試項(xiàng)目要求選購(gòu).

提供中文或英文兩種語(yǔ)言操作界面選擇，滿足國(guó)內(nèi)及國(guó)外客戶需求

電阻測(cè)量范圍：
電阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、
電阻：1×10-5～2×105Ω
電導(dǎo)率：5×10-6～1×108ms/cm
分辨率：  醉小1μΩ 
測(cè)量誤差±5%
測(cè)量電壓量程：?2mV?  20mV? 200mV?2V?
測(cè)量精度±（0.1%讀數(shù)）
分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV
電流輸出：直流電流?0～1000mA?連續(xù)可調(diào)，由交流電源供電。
量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,?
誤差：±0.2%讀數(shù)±2字
主機(jī)外形尺寸：330mm*340mm*120mm
顯示方式：液晶顯示
電源：220±10% 50HZ/60HZ
標(biāo)配：測(cè)試平臺(tái)一套、主機(jī)一套、電源線數(shù)據(jù)線一套。
范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅片電阻率的擴(kuò)展電阻探針測(cè)量方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于側(cè)量晶體晶向與導(dǎo)電類(lèi)型已知的硅片的電阻率和測(cè)量材底同型或反型的硅片外延層的電阻率，測(cè)量范圍，10-* n·cm～10' Ω·cm。
規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，
CB/T1550 非本征率導(dǎo)體材料導(dǎo)電類(lèi)型測(cè)試方法 GB/T 1552 硅、儲(chǔ)單晶電阻率測(cè)定 直排四探針?lè)?br/>GB/T 1555 半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法
GB/T 14847 重?fù)诫s襯底上輕摻雜建外延層厚度的紅外反射測(cè)顯方法
方法原到擴(kuò)展電阻法是一種實(shí)驗(yàn)比較法。
該方法是先測(cè)量重復(fù)形成的點(diǎn)接觸的擴(kuò)展電阻，再用校準(zhǔn)曲線來(lái)確定被測(cè)試樣在探針接觸點(diǎn)期近的電阻率。擴(kuò)展電阻R是導(dǎo)電金屬深針與建片上一個(gè)參考點(diǎn)之間的電勢(shì)降與流過(guò)探針的電流之比。
對(duì)于電阻率均勻一致的半導(dǎo)體材料來(lái)說(shuō)，探針與半導(dǎo)體材料接觸半徑為a的擴(kuò)展電阻用式（1）來(lái)表示;