產(chǎn)品介紹：
該系統(tǒng)以含鉬電阻絲為加熱元件，采用雙層殼體結(jié)構(gòu)和30段程序控溫儀表，移相觸發(fā)、可控硅控制，爐膛采用氧化鋁多晶纖維材料，爐管兩端能不銹鋼法蘭密封，不銹鋼法蘭上安裝有氣嘴、閥門和壓力表，真空泵接口，具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)。
結(jié)構(gòu)組成：
定制立式PECVD設(shè)備，由真空立式管式爐、石英真空室、射頻電源、供氣系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)組成。

主要特點(diǎn)：
     1、通過射頻電源把石英真空室內(nèi)的氣體變?yōu)殡x子態(tài)。
     2、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積所需的溫度更低。
     3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應(yīng)力大小。
     4、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高。
     5、廣泛應(yīng)用于：各種薄膜的生長，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型硅(a-Si:H) 等。

應(yīng)用范圍：
    PECVD系統(tǒng)是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。 該系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于沉積高質(zhì)量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜和炭納米管（CNT）、石墨烯材料等。

技術(shù)參數(shù)：

 1、我公司對所供設(shè)備提供質(zhì)保一年保修服務(wù)（易損件除外），在保修期內(nèi)因設(shè)備質(zhì)量原因造成的設(shè)備損壞或故障，均予以免費(fèi)維修。保修期滿后，仍提供終身的、優(yōu)質(zhì)的維修服務(wù)。
 2、在設(shè)備使用過程中如遇故障的，我公司將盡快做出處理方案，確保設(shè)備正常運(yùn)行。
 3、我公司設(shè)提供免費(fèi)的設(shè)備操作培訓(xùn)和簡單故障排除維修培訓(xùn)。
 4、我公司技術(shù)人員可提供(產(chǎn)品安裝調(diào)試、整機(jī)維護(hù)、技術(shù)講解及操作指導(dǎo)等)。
 5、本公司可提供運(yùn)輸服務(wù)，包裝方式均按照標(biāo)準(zhǔn)安全包裝進(jìn)行。隨機(jī)技術(shù)資料齊全（用戶手冊、保修手冊、有關(guān)資料及配件、隨機(jī)工具等）。
 6、本公司所有產(chǎn)品均有歐盟CE質(zhì)量認(rèn)證。