半導(dǎo)體芯片超純水系統(tǒng)設(shè)備

半導(dǎo)體芯片超純水系統(tǒng)設(shè)備根據(jù)行業(yè)需求，對反滲透設(shè)備進行有針對性的完善工作。反滲透設(shè)備主要采用的是反滲透膜分離技術(shù)。反滲透技術(shù)主要是通過以推動力作為壓力，進行水質(zhì)凈化。因為過程中沒有發(fā)生變化，反滲透膜只起到篩分的作用，因此消耗能量很低。

超純水設(shè)備系統(tǒng)根據(jù)半導(dǎo)體芯片用水要求，采用當今*的全自動CEDI電去離子超純水處理技術(shù)，前置預(yù)處理配套使用加反滲透處理，有效去除水中各種鹽份及雜質(zhì)，然后運用CEDI系統(tǒng)，進一步提升水質(zhì)，超純水水質(zhì)*符合半導(dǎo)體超純水用水要求。超純水系統(tǒng)采用全自運控制，科瑞設(shè)備具有產(chǎn)水水質(zhì)穩(wěn)定、操作簡便、運行費用低、綠色環(huán)保、維護方便等優(yōu)點，已廣泛應(yīng)用于電子、醫(yī)藥、電力、汽車等相關(guān)行業(yè)。

二、半導(dǎo)體清洗超純水設(shè)備制備工藝

1、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→粗混合床→精混合床→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→精密過濾器→用水對象 （≥18MΩ.CM）(傳統(tǒng)工藝) 反滲透+混床設(shè)備

2、預(yù)處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純化水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→0.2或0.5μm精密過濾器→用水對象（≥18MΩ.CM）(新工藝)

3、預(yù)處理→一級反滲透→加藥機（PH調(diào)節(jié)）→中間水箱→第二級反滲透（正電荷反滲膜）→純水箱→純水泵→EDI裝置→紫外線殺菌器→0.2或0.5μm精密過濾器→用水對象（≥17MΩ.CM）(新工藝)

4、預(yù)處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→0.2或0.5μm精密過濾器→用水對象（≥15MΩ.CM）(新工藝)

5、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→純水泵→粗混合床→精混合床→紫外線殺菌器→精密過濾器→用水對象 （≥15MΩ.CM）(傳統(tǒng)工藝) EDI設(shè)備

三、半導(dǎo)體芯片清洗超純水設(shè)備水質(zhì)標準

半導(dǎo)體芯片清洗超純水設(shè)備出水水質(zhì)*符合美國ASTM純水水質(zhì)標準、我國電子工業(yè)部電子級水質(zhì)技術(shù)標準（18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm五級標準）、我國電子工業(yè)部高純水水質(zhì)試行標準、美國半導(dǎo)體工業(yè)用純水指標、日本集成電路水質(zhì)標準、國內(nèi)外大規(guī)模集成電路水質(zhì)標準